美光在其法說會中指出，該公司四分之三DRAM記憶體顆粒在1-alpha及1-beta節點生產，NAND Flash快閃記憶體則有90％產能，以176/232層製程生產。
美光率先業界完成單層結構的32GB晶片、128GB伺服器記憶體驗證，預計半年內記憶體模組可達數億美元營收目標。
在消費性存儲產品方面，美光表示，消費性固態硬碟產品QLC顆粒出貨量創新高，佔整體出貨量三分之二，鞏固該公司在消費性QLC固態硬碟領導者地位。
在高頻寬記憶體（HBM）部分，美光開始生產HBM3E，用於輝達（NVIDIA）H200，12-Hi HBM3E（36GB）已送樣，並預期於2025年貢獻，目前2024年HBM產品已售罄。